Optimization of the silicon oxide layer thicknesses inserted in the Mo/Si multilayer interfaces for high heat stability and high reflectivity

石野 雅彦; 依田 修

Journal of Applied Physics, 92(9), p.4952 - 4958, 2002/11

https://doi.org/10.1063/1.1510566

Mo/Si多層膜界面にSiO層を挿入することにより、Mo/Si多層膜の耐熱性は大きく向上するが、Mo/Si多層膜が高い反射率を示す波長13nm近傍の軟X線領域では、酸素によるX線の吸収が大きいため、SiO層を挿入したMo/Si多層膜の軟X線反射率は減少する。そこで、高い耐熱性をもつMo/SiO/Si/SiO多層膜に対して、軟X線反射率の向上を目的にSiO層厚の最適化を行った。600までの熱処理に対する構造評価と、軟X線反射率測定の結果、Si-on-Mo界面に0.5nm,Mo-on-Si界面に1.5nmずつのSiO層を挿入したMo(4.0)/SiO(0.5)/Si(4.0)/SiO(1.5)多層膜が高い耐熱性と軟X線反射率とを実現することを見いだした。この多層膜は400における熱処理後も熱処理前と同様の高い軟X線反射率を示し、500までの熱処理に対して安定な構造を有する。この温度は従来のMo/Si多層膜に比べ、約200と高い。